Adding the AliAnalysisGUI class which is the main class that controls the GUI.
[u/mrichter/AliRoot.git] / ITS / AliITSCalibration.h
1 #ifndef ALIITSCALIBRATION_H
2 #define ALIITSCALIBRATION_H
3 /* Copyright(c) 1998-1999, ALICE Experiment at CERN, All rights reserved. *
4  * See cxx source for full Copyright notice                               */
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6 //////////////////////////////////////////////
7 // Base ITS calibration class               //
8 //////////////////////////////////////////////
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10 #include <TObject.h>
11 #include <TString.h>
12 #include "AliITSresponse.h"
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14 class AliITSsegmentation;
15 class TF1;
16 class AliITSgeom;
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19 /////////////////////////////////////////////
20 //                                         //
21 // ITS calibration virtual base class      //
22 /////////////////////////////////////////////
23 class AliITSCalibration : public TObject {
24  public:
25     // Default Constructor
26     AliITSCalibration();
27     // Standard Constructor
28     AliITSCalibration(Double_t Thickness);
29
30     // Destructor.
31     virtual ~AliITSCalibration() {;}
32     //
33     // Configuration methods
34     //
35     // fGeVcharge is set by default 3.6e-9 GeV See for ex. PDG 2004.
36     virtual void SetGeVToCharge(Double_t gc=3.6e-9){fGeVcharge = gc;}
37     // Returns the value fGeVcharge
38     virtual Double_t GetGeVToCharge() const {return fGeVcharge;}
39     // Converts deposited energy to number of electrons liberated
40     virtual Double_t GeVToCharge(Double_t gev) const {return gev/fGeVcharge;}
41     // Temperature in [degree K]
42     virtual void    SetTemperature(Double_t t=300.0) {fT = t;}
43     // Get temperature [degree K]
44     virtual Double_t Temperature() const {return fT;}
45     // Set the impurity concentrations in [#/cm^3]
46     virtual void SetImpurity(Double_t n=0.0){fN = n;}
47     // Returns the impurity consentration in [#/cm^3]
48     virtual Double_t Impurity() const {return fN;}
49     // Sets the applied ratio distance/voltage [cm/volt]
50     virtual void SetDistanceOverVoltage(Double_t d,Double_t v){fdv = d/v;}
51     // Sets the applied ration distance/voltage [cm/volt]. Default value
52     // is 300E-4cm/80 volts = 0.000375 cm/volts
53     virtual void SetDistanceOverVoltage(Double_t dv=0.000375){fdv = dv;}
54     // Returns the ration distance/voltage
55     virtual Double_t DistanceOverVoltage() const {return fdv;}
56  
57     // Get data type
58     virtual const char  *DataType() const {return fDataType.Data();}
59     // Type of data - real or simulated
60     virtual void    SetDataType(const char *data="simulated") {fDataType=data;}
61     // Set parameters options: "same" or read from "file" or "SetInvalid" or...
62     //  virtual void   SetParamOptions(const char*,const char*) = 0;
63     // Set noise parameters 
64     virtual void   SetNoiseParam(Double_t, Double_t) = 0;
65     // Number of parameters to be set
66     virtual  void   SetNDetParam(Int_t) = 0;
67     // Set detector parameters: gain, coupling ...
68     virtual  void   SetDetParam(Double_t *) = 0;
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70     // Parameters options
71     //  virtual void   ParamOptions(char *,char*) const = 0;
72     virtual Int_t  NDetParam() const = 0;
73     virtual void   GetDetParam(Double_t *) const = 0;
74     virtual void   GetNoiseParam(Double_t&, Double_t&) const = 0;
75     virtual void   SetThresholds(Double_t, Double_t) = 0;
76     virtual void   Thresholds(Double_t &, Double_t &) const = 0;
77     virtual Double_t DriftSpeed() const {return SpeedElectron();};
78     // Set sigmas of the charge spread function
79     virtual void    SetSigmaSpread(Double_t, Double_t) = 0;
80     // Get sigmas for the charge spread
81     virtual void    SigmaSpread(Double_t &,Double_t &) const = 0;
82     // Pulse height from scored quantity (eloss)
83     virtual Double_t IntPH(Double_t) const {return 0.;}
84     // Charge disintegration
85     virtual Double_t IntXZ(AliITSsegmentation *) const {return 0.;}
86     // Electron mobility in Si. [cm^2/(Volt Sec)]. T in degree K, N in #/cm^3
87     virtual Double_t MobilityElectronSiEmp() const ;
88     // Hole mobility in Si. [cm^2/(Volt Sec)]  T in degree K, N in #/cm^3
89     virtual Double_t MobilityHoleSiEmp() const ;
90     // Einstein relation for Diffusion Coefficient of Electrons. [cm^2/sec]
91     //  T in degree K, N in #/cm^3
92     virtual Double_t DiffusionCoefficientElectron() const ;
93     // Einstein relation for Diffusion Coefficient of Holes. [cm^2/sec]
94     //  T in [degree K], N in [#/cm^3]
95     virtual Double_t DiffusionCoefficientHole() const ;
96     // Electron <speed> under an applied electric field E=Volts/cm. [cm/sec]
97     // d distance-thickness in [cm], v in [volts], T in [degree K],
98     // N in [#/cm^3]
99     virtual Double_t SpeedElectron() const ;
100     // Holes <speed> under an applied electric field E=Volts/cm. [cm/sec]
101     // d distance-thickness in [cm], v in [volts], T in [degree K],
102     // N in [#/cm^3]
103     virtual Double_t SpeedHole() const ;
104     // Returns the Gaussian sigma == <x^2+z^2> [cm^2] due to the defusion of
105     // electrons or holes through a distance l [cm] caused by an applied
106     // voltage v [volt] through a distance d [cm] in any material at a
107     // temperature T [degree K].
108     virtual Double_t SigmaDiffusion3D(Double_t  l) const;
109     // Returns the Gaussian sigma == <x^2 +y^2+z^2> [cm^2] due to the
110     // defusion of electrons or holes through a distance l [cm] caused by an
111     // applied voltage v [volt] through a distance d [cm] in any material at a
112     // temperature T [degree K].
113     virtual Double_t SigmaDiffusion2D(Double_t l) const;
114     // Returns the Gaussian sigma == <x^2+z^2> [cm^2] due to the defusion of
115     // electrons or holes through a distance l [cm] caused by an applied
116     // voltage v [volt] through a distance d [cm] in any material at a
117     // temperature T [degree K].
118     virtual Double_t SigmaDiffusion1D(Double_t l) const;
119     // Compute the thickness of the depleted region in a Si detector, version A
120     virtual Double_t DepletedRegionThicknessA(Double_t dopCons,
121                                               Double_t voltage,
122                                               Double_t elecCharge,
123                                               Double_t voltBuiltIn=0.5)const;
124     // Compute the thickness of the depleted region in a Si detector, version B
125     virtual Double_t DepletedRegionThicknessB(Double_t resist,Double_t voltage,
126                                               Double_t mobility,
127                                               Double_t voltBuiltIn=0.5,
128                                               Double_t dielConst=1.E-12)const;
129     // Computes the temperature dependance of the reverse bias current
130     virtual Double_t ReverseBiasCurrent(Double_t temp,Double_t revBiasCurT1,
131                                     Double_t tempT1,Double_t energy=1.2)const;
132     // Prints out the content of this class in ASCII format.
133     virtual void Print(ostream *os) const;
134     // Reads in the content of this class in the format of Print
135     virtual void Read(istream *is);
136     virtual void Print(Option_t *option="") const {TObject::Print(option);}
137     virtual Int_t Read(const char *name) {return TObject::Read(name);}
138
139     void SetResponse(AliITSresponse* response) {fResponse=response;}
140     AliITSresponse* GetResponse() const {return fResponse;}
141
142     virtual void SetDiffCoeff(Float_t p1, Float_t p2) {fResponse->SetDiffCoeff(p1,p2);}
143     virtual void DiffCoeff(Float_t &diff,Float_t &diff1) const {fResponse->DiffCoeff(diff,diff1);} 
144     virtual void SetFilenames(const char *f1="",const char *f2="",
145                                  const char *f3="") {fResponse->SetFilenames(f1,f2,f3);}    
146     virtual void Filenames(char* input,char* baseline,char* param) {fResponse->Filenames(input,baseline,param);}
147     virtual void SetOutputOption(Bool_t write=kFALSE) {fResponse->SetOutputOption(write);}
148     virtual Bool_t OutputOption() const {return fResponse->OutputOption();} 
149
150  protected:
151     AliITSCalibration(const AliITSCalibration &ob); // copy constructor
152     AliITSCalibration& operator=(const AliITSCalibration& source); // ass.
153     void NotImplemented(const char *method) const {if(gDebug>0)
154          Warning(method,"This method is not implemented for this sub-class");}
155
156     TString  fDataType;   // data type - real or simulated
157     
158     Double_t fdv;  // The parameter d/v where d is the disance over which the
159                    // the potential v is applied d/v [cm/volts]
160     Double_t fN;   // the impurity consentration of the material in #/cm^3
161     Float_t fT;   // The temperature of the Si in Degree K.
162     Double_t fGeVcharge; // Energy to ionize (free an electron) in GeV
163     AliITSresponse* fResponse; //! ptr to base response obj. It is not
164                  // deleted here but in AliITSDetTypeSim and AliITSDetTypeRec
165
166     ClassDef(AliITSCalibration,1) // Detector type response virtual base class 
167 };
168 // Input and output function for standard C++ input/output.
169 ostream& operator<<(ostream &os,AliITSCalibration &source);
170 istream& operator>>(istream &os,AliITSCalibration &source);
171 #endif