ITS/AliITSresponse.h

   1 #ifndef ALIITSRESPONSE_H
   2 #define ALIITSRESPONSE_H
   3
   4 #include <TObject.h>
   5
   6 #include "AliITSsegmentation.h"
   7
   8 class TF1;
   9 class TString;
  10 class AliITSgeom;
  11
  12 //----------------------------------------------
  13 //
  14 // ITS response virtual base class
  15 //
  16 class AliITSresponse : public TObject {
  17  public:
  18     // Default Constructor
  19     AliITSresponse();
  20     // Standard Constructor
  21     AliITSresponse(Double_t Thickness);
  22     // Destructor.
  23     virtual ~AliITSresponse() {}
  24     //
  25     // Configuration methods
  26     //
  27
  28     // Set Electronics
  29     virtual void    SetElectronics(Int_t) {}
  30     // Get Electronics
  31     virtual Int_t Electronics()  {return 0;}
  32
  33     // Set maximum Adc-count value
  34     virtual void    SetMaxAdc(Float_t) {}
  35     // Get maximum Adc-count value
  36     virtual Float_t MaxAdc()  {return 0.;}
  37
  38     // Set maximum Adc-top value
  39     virtual void    SetDynamicRange(Float_t) {}
  40     // Get maximum Adc-top value
  41     virtual Float_t DynamicRange()  {return 0.0;}
  42
  43     // Set Charge Loss Linear Coefficient
  44     virtual void    SetChargeLoss(Float_t) {}
  45     // Get Charge Loss Linear Coefficient
  46     virtual Float_t ChargeLoss()  {return 0.0;}
  47
  48     // Diffusion coefficient
  49     virtual void    SetDiffCoeff(Float_t, Float_t) {}
  50     // Get diffusion coefficients
  51     virtual void    DiffCoeff(Float_t &,Float_t &) {}
  52
  53     // Temperature in [degree K]
  54     virtual void    SetTemperature(Float_t t=300.0) {fT = t;}
  55     // Get temperature [degree K]
  56     virtual Float_t Temperature() {return fT;}
  57     // Type of data - real or simulated
  58     virtual void    SetDataType(const char *) {}
  59     // Set the impurity concentrations in [#/cm^3]
  60     virtual void SetImpurity(Double_t n=0.0){fN = n;}
  61     // Returns the impurity consentration in [#/cm^3]
  62     virtual Double_t Impurity(){return fN;}
  63     // Sets the applied ratio distance/voltage [cm/volt]
  64     virtual void SetDistanceOverVoltage(Double_t d,Double_t v){fdv = d/v;}
  65     // Sets the applied ration distance/voltage [cm/volt]. Default value
  66     // is 300E-4cm/80 volts = 0.000375 cm/volts
  67     virtual void SetDistanceOverVoltage(Double_t dv=0.000375){fdv = dv;}
  68     // Returns the ration distance/voltage
  69     virtual Double_t DistanceOverVoltage(){return fdv;}
  70     // Get data type
  71     virtual const char  *DataType() const {return "";}
  72
  73     // Set parameters options: "same" or read from "file" or "SetInvalid" or...
  74     virtual void   SetParamOptions(const char*,const char*) {}
  75     // Set noise parameters
  76     virtual void   SetNoiseParam(Float_t, Float_t) {}
  77     // Number of parameters to be set
  78     virtual  void   SetNDetParam(Int_t) {}
  79     // Set detector parameters: gain, coupling ...
  80     virtual  void   SetDetParam(Float_t *) {}
  81
  82     // Parameters options
  83     virtual void   ParamOptions(char *,char*) {}
  84     virtual Int_t  NDetParam() {return 0;}
  85     virtual void   GetDetParam(Float_t *) {}
  86     virtual void   GetNoiseParam(Float_t&, Float_t&) {}
  87
  88     // Zero-suppression option - could be 1D, 2D or non-ZeroSuppressed
  89     virtual void   SetZeroSupp(const char*) {}
  90     // Get zero-suppression option
  91     virtual const char *ZeroSuppOption() const {return "";}
  92      // Set thresholds
  93     virtual void   SetThresholds(Float_t, Float_t) {}
  94     virtual void   Thresholds(Float_t &, Float_t &) {}
  95     // Set min val
  96     virtual void   SetMinVal(Int_t) {};
  97     virtual Int_t  MinVal() {return 0;};
  98
  99     // Set filenames
 100     virtual void SetFilenames(const char *,const char *,const char *) {}
 101     // Filenames
 102     virtual void   Filenames(char*,char*,char*) {}
 103
 104     virtual Float_t DriftSpeed() {return 0.;}
 105     virtual Bool_t  OutputOption() {return kFALSE;}
 106     virtual Bool_t  Do10to8() {return kTRUE;}
 107     virtual void    GiveCompressParam(Int_t *) {}
 108
 109     //
 110     // Detector type response methods
 111     // Set number of sigmas over which cluster disintegration is performed
 112     virtual void    SetNSigmaIntegration(Float_t) {}
 113     // Get number of sigmas over which cluster disintegration is performed
 114     virtual Float_t NSigmaIntegration() {return 0.;}
 115     // Set number of bins for the gaussian lookup table
 116     virtual void    SetNLookUp(Int_t) {}
 117     // Get number of bins for the gaussian lookup table
 118     virtual Int_t GausNLookUp() {return 0;}
 119     // Get scaling factor for bin i-th from the gaussian lookup table
 120     virtual Float_t GausLookUp(Int_t) {return 0.;}
 121     // Set sigmas of the charge spread function
 122     virtual void    SetSigmaSpread(Float_t, Float_t) {}
 123     // Get sigmas for the charge spread
 124     virtual void    SigmaSpread(Float_t &,Float_t &) {}
 125
 126     // Pulse height from scored quantity (eloss)
 127     virtual Float_t IntPH(Float_t) {return 0.;}
 128     // Charge disintegration
 129     virtual Float_t IntXZ(AliITSsegmentation *) {return 0.;}
 130     // Electron mobility in Si. [cm^2/(Volt Sec)]. T in degree K, N in #/cm^3
 131     virtual Double_t MobilityElectronSiEmp();
 132     // Hole mobility in Si. [cm^2/(Volt Sec)]  T in degree K, N in #/cm^3
 133     virtual Double_t MobilityHoleSiEmp();
 134     // Einstein relation for Diffusion Coefficient of Electrons. [cm^2/sec]
 135     //  T in degree K, N in #/cm^3
 136     virtual Double_t DiffusionCoefficientElectron();
 137     // Einstein relation for Diffusion Coefficient of Holes. [cm^2/sec]
 138     //  T in [degree K], N in [#/cm^3]
 139     virtual Double_t DiffusionCoefficientHole();
 140     // Electron <speed> under an applied electric field E=Volts/cm. [cm/sec]
 141     // d distance-thickness in [cm], v in [volts], T in [degree K],
 142     // N in [#/cm^3]
 143     virtual Double_t SpeedElectron();
 144     // Holes <speed> under an applied electric field E=Volts/cm. [cm/sec]
 145     // d distance-thickness in [cm], v in [volts], T in [degree K],
 146     // N in [#/cm^3]
 147     virtual Double_t SpeedHole();
 148     // Returns the Gaussian sigma == <x^2+z^2> [cm^2] due to the defusion of
 149     // electrons or holes through a distance l [cm] caused by an applied
 150     // voltage v [volt] through a distance d [cm] in any material at a
 151     // temperature T [degree K].
 152     virtual Double_t SigmaDiffusion3D(Double_t);
 153     // Returns the Gaussian sigma == <x^2 +y^2+z^2> [cm^2] due to the
 154     // defusion of electrons or holes through a distance l [cm] caused by an
 155     // applied voltage v [volt] through a distance d [cm] in any material at a
 156     // temperature T [degree K].
 157     virtual Double_t SigmaDiffusion2D(Double_t);
 158     // Returns the Gaussian sigma == <x^2+z^2> [cm^2] due to the defusion of
 159     // electrons or holes through a distance l [cm] caused by an applied
 160     // voltage v [volt] through a distance d [cm] in any material at a
 161     // temperature T [degree K].
 162     virtual Double_t SigmaDiffusion1D(Double_t);
 163  private:
 164     Double_t fdv;  // The parameter d/v where d is the disance over which the
 165                    // the potential v is applied d/v [cm/volts]
 166     Double_t fN;   // the impurity consentration of the material in #/cm^3
 167     Double_t fT;   // The temperature of the Si in Degree K.
 168
 169     ClassDef(AliITSresponse,2) // Detector type response virtual base class
 170 };
 171 #endif